TRƯỜNG VẬT LIỆU - Đại học Bách khoa Hà Nội

GIỚI THIỆU

CÁC MÔN GIẢNG DẠY

• Công nghệ vật liệu
• Kỹ thuật mô phỏng số đúc
• Quá trình đông đặc
• Thiết kế hợp kim kỹ thuật
• Thiết kế vật liệu
• Vật liệu cấu trúc nano
• Xử lý số liệu và quy hoạch thực nghiệm

LĨNH VỰC NGHIÊN CỨU

• Nuôi đơn tinh thể
• Chế tạo màng mỏng bán dẫn và linh kiện điện tử, bán dẫn
• Cảm biến khí, cảm biến quang
• Mô phỏng số các quá trình công nghệ
• Mô hình hoá và ứng dụng trí tuệ nhân tạo trong kỹ thuật

CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC TIÊU BIỂU

• Đề tài cấp Bộ Giáo dục & Đào tạo mã số B2024-BKA-22: “Nghiên cứu chế tạo vật liệu màng mỏng tinh thể Gali oxit và thử nghiệm ứng dụng làm cảm biến tia cực tím sâu”, thực hiện từ 01/2024, chủ nhiệm đề tài, đang thực hiện.

• Hà Minh Tân, S.-M. Jeong, A review of the simulation studies on the bulk growth of silicon carbide single crystals. J. Korean Ceram. Soc. 59, 153–179 (2022). [DOI: 10.1007/s43207-022-00188-y].
• S-Y. Park, Hà Minh Tân, K.-H. Kim, L. Van Lich, Y.-J. Shin, S.-M. Jeong, S.-H. Kwon, S.-Y. Bae, Enhanced thickness uniformity of large-scale α-Ga2O3 epilayers grown by vertical hot-wall mist chemical vapor deposition. Ceram. Int. S0272884221034532 (2021). [DOI: 10.1016/j.ceramint.2021.11.045].
• K-H. Kim, Hà Minh Tân, H. Lee, M. Kim, O. Nam, Y.-J. Shin, S.-M. Jeong, S.-Y. Bae, Microstructural Gradational Properties of Sn-Doped Gallium Oxide Heteroepitaxial Layers Grown Using Mist Chemical Vapor Deposition. Materials 15, 1050 (2022). [DOI: 10.3390/ma15031050].
• Van Lich, M.-T. Le, N.-L. Vu, H.-D. Nguyen, V.-T. Le, Hà Minh Tân, T.-G. Nguyen, V.-H. Dinh, Direct switching of polarization vortex in triangular ferroelectric nanodots: Role of crystal orientation. Phys. Rev. B 104, 024104 (2021). [DOI: 10.1103/PhysRevB.104.024104].
• Hà Minh Tân, K. Kim, Y. Shin, S. Jeong, S. Bae, Leidenfrost Motion of Water Microdroplets on Surface Substrate: Epitaxy of Gallium Oxide via Mist Chemical Vapor Deposition. Adv. Mater. Interfaces 8, 2001895 (2021). [DOI: 10.1002/admi.202001895].
• Le Van Lich, N.-L. Vu, Hà Minh Tân, T.Q. Bui, V.-T. Le, T.-G. Nguyen, V.-H. Dinh, Enhancement of electrocaloric effect in compositionally graded ferroelectric nanowires. J. Appl. Phys. 127, 214103 (2020). [DOI: 10.1063/1.5145040].
• Hà Minh Tân, L.V. Lich, Y.-J. Shin, S.-Y. Bae, M.-H. Lee, S.-M. Jeong, Improvement of SiC Crystal Growth Rate and Uniformity via Top-Seeded Solution Growth under External Static Magnetic Field: A Numerical Investigation. Materials 13, 651 (2020). [DOI: 10.3390/ma13030651].
• Hà Minh Tân, K.-H. Kim, Y.-J. Kwon, C.-J. Kim, S.-M. Jeong, S.-Y. Bae, Understanding Thickness Uniformity of Ga2O3 Thin Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition. ECS J. Solid State Sci. Technol. 8, Q3206–Q3212 (2019). [DOI: 10.1149/2.0381907jss].
• K-H. Kim, Hà Minh Tân, Y.-J. Kwon, H. Lee, S.-M. Jeong, S.-Y. Bae, Growth of 2-Inch α-Ga2O3 Epilayers via Rear-Flow-Controlled Mist Chemical Vapor Deposition. ECS J. Solid State Sci. Technol. 8, Q3165–Q3170 (2019). [DOI: 10.1149/2.0301907jss].
• S-Y. Park, Y.-J. Shin, Hà Minh Tân, S.-Y. Bae, Y.-S. Lim, S.-M. Jeong, Effect of Radiation Heat Transfer on the Control of Temperature Gradient in the Induction Heating Furnace for Growing Single Crystals. J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng. 32, 522–527 (2019). [DOI: 10.4313/JKEM.2019.32.6.522].
• Hà Minh Tân, Y.-J. Shin, S.-Y. Bae, Y.-J. Yoo, S.-M. Jeong, Effect of Residual Droplet on the Solution-Grown SiC Single Crystals. J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng. 32, 516–521 (2019). [DOI: 10.4313/JKEM.2019.32.6.516].
• Hà Minh Tân, Y.-J. Shin, S.-Y. Bae, S.-Y. Park, S.-M. Jeong, Effect of Hot-zone Aperture on the Growth Behavior of SiC Single Crystal Produced via Top-seeded Solution Growth Method. J. Korean Ceram. Soc. 56, 589–595 (2019). [DOI: 10.4191/kcers.2019.56.6.07].
• Hà Minh Tân, Y.-J. Yu, Y.-J. Shin, S.-Y. Bae, M.-H. Lee, C.-J. Kim, S.-M. Jeong, Flow modification enhancing the growth rate in top seeded solution growth of SiC crystals. RSC Adv. 9, 26327–26337 (2019). [DOI: 10.1039/C9RA04930D].
• Hà Minh Tân, Y.-J. Shin, M.-H. Lee, C.-J. Kim, S.-M. Jeong, Effects of the Temperature Gradient Near the Crystal-Melt Interface in Top Seeded Solution Growth of SiC Crystal. Phys. Status Solidi A 215, 1701017 (2018). [DOI: 10.1002/pssa.201701017].
• Hà Minh Tân, C. Manh Hung, T.M. Ngoc, H. Nguyen, N. Duc Hoa, N. Van Duy, N.V. Hieu, Novel Self-Heated Gas Sensors Using on-Chip Networked Nanowires with Ultralow Power Consumption. ACS Appl. Mater. Interfaces 9, 6153–6162 (2017). [DOI: 10.1021/acsami.6b14516].
• J. E. Lee, B.G. Kim, J.-Y. Yoon, Hà Minh Tân, M.-H. Lee, Y. Kim, W.-S. Seo, H.-J. Choi, W.-J. Lee, S.-M. Jeong, The role of an SiC interlayer at a graphite–silicon liquid interface in the solution growth of SiC crystals. Ceram. Int. 42, 11611–11618 (2016). [DOI: 10.1016/j.ceramint.2016.04.060].
• D.T.T. Le, N. Van Duy, Hà Minh Tân, D.D. Trung, N.N. Trung, P.T.H. Van, N.D. Hoa, N. Van Hieu, Density-controllable growth of SnO2 nanowire junction-bridging across electrode for low-temperature NO2 gas detection. J. Mater. Sci. 48, 7253–7259 (2013). [DOI: 10.1007/s10853-013-7545-9].

SÁCH ĐÃ XUẤT BẢN

• Không

THÔNG TIN THÊM

1. Jeong Seong Min, Lee Myung Huyn, Shin Yun Ji, Hà Minh Tân, The solution growth reactor for single crystal growth including that function for opening and closing the head of hot-zone, issued by Korean Intellectual Property Office, on May 03, 2019, Registration number: 1019773650000
2. Jeong Seong Min, Lee Myung Huyn, Kim Young Hee, Hà Minh Tân, Constructional element lies inside the crucible for enhancing the growth rate of single crystal in solution growth, issued by Korean Intellectual Property Office, on Apirl 02, 2019, Registration number: 1019666960000
3. Jeong Seong Min, Lee Myung Huyn, Bae Si Young, Shin Yun Ji, Yu Yeong Jae, Hà Minh Tân, Single Crystal Growth Apparatus, issued by Korean Intellectual Property Office, on October 31, 2019, Registration number: 1020413700000

• Không